Лекции.ИНФО


Силовой части преобразователя



 

1. Исходя из заданного значения амплитуды пульсации выходного напряжения Uвых.m , определяем требуемое значение ёмкости конденсатора Сн.

Выбираем тип и номинал конденсатора по таблицам П3.1- П3.4. При этом, выбирать конденсатор следует так, чтобы ёмкость была больше или равна расчётному значению, номинальное напряжение Uраб. больше или равно 1,5 U0, а допустимая величина пульсации на частоте преобразования (для схемы рис. 7 на двойной частоте преобразования) больше Uвых. m . В противном случае следует выбирать Сн на большее рабочее напряжение, либо переходить к другому типу конденсатора.

Для конденсаторов ECR (табл. П3.1.) указан допустимый пульсирующий ток частоты 120 Гц - I (120Гц), который можно пересчитать в пульсирующий ток заданной частоты преобразования и температуры (рис. П3.1)

 

If = If120 * K * n

 

и найти допустимое напряжение пульсаций для данного конденсатора:

 

Uf = If /(2p·fп· Сн).

 

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения .

Для конденсаторов К50-53 (табл. П3.2) указан допустимый пульсирующий ток частоты 100 Герц - I(100Гц), который можно пересчитать в пульсирующий ток заданной частоты преобразования (рис. П3.2)

 

If = If100 * K

 

и найти допустимое напряжение пульсаций для данного конденсатора:

 

Uf = If /(2p·fп· Сн).

 

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения.

Для конденсаторов К50-68 (табл. П3.3) указывается амплитуда переменной составляющей напряжения пульсаций, но её зависимость от частоты (рис. П3.3) и температуры( рис. П3.4) отличается от рассмотренных ранее и находится по формуле Uf = Uf50 * K * n.

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения.

Конденсаторы К73-50 могут работать на переменном токе, не критичны к пульсациям, но имеют существенную массу и объём, что следует учитывать при выборе типа конденсатора.

Для схемы рис. 6 при определении значения ёмкостей конденсаторов С1 и С2 следует задаться значениями DUc1 и DUc2(DUc1£0,1Uвх; DUc2£0,1U0). Затем по таблицам П3.1 - П3.4. или по справочнику [4,5,6 ] выбираем с учётом вышеизложенных рекомендаций конденсаторы, при этом следует иметь в виду, что Uc1 раб ³ 1,5 Uвх. макс.; Uc2 раб ³ 1,5 U0.

 

2. Определяем приращение тока дросселя (для схемы рис. 6 DIL1, DIL2).

3. По ранее выбранному значению КПД преобразователя определяем значение максимального тока коллектора (стока) Iк1 макс транзистора VT1 (транзисторов VT1, VT2, для схемы рис. 7).

4. По выражениям табл. 7 определяем максимальное значение напряжения на закрытом транзисторе Uкэ1 макс. Для схемы рис. 2 величина

W1 / Wp находится из соотношения W1 / Wp = gмакс / (1-gмакс).

5. По вычисленным значениям Iк1 макс, Uкэ1 макс и заданной частоте преобразования fn из табл. П4.1 выбираем полевой транзистор [5].

При выборе транзистора необходимо, чтобы

UСИ ³ 1,2 U кэ1 макс; Ic макс > Iк1 макс.

Для выбранного типа транзистора определяем сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R си откр).

6. Убеждаемся в возможности использования выбранного транзистора по мощности, которая определяется выражением

 

Рст макс = I2с макс Rси отр .

 

Используя данные таблицы П4.1 (Рмакс) проверяем возможность использования по мощности выбранного типа транзистора из условия Рмакс > Р ст макс.

7. На основании выражений таблиц 7 и 8 определяем параметры диодов VD1, VD2: среднее и максимальное значения тока диодов IVD1 макс, IVD2 макс, максимальное обратное напряжение на диодах UVD1 макс, UVD2 макс. Из табл. П5.1 или справочника [7] выбираем тип диодов VD1, VD2. Находим мощность, рассеиваемую на диодах - PVD1, PVD2.

8. Исходя из заданного значения нестабильности выходного напряжения d, определяем требуемый коэффициент передачи в контуре регулирования:


Таблица 8 Расчёт выпрямителя
№ п/п   Выходной Выпрямитель Схемы рис. 2 и 3 Схемы рис. 4 и 5 Схема рис. 6 Схема рис. 7
    IVD2макс = = IVDB макс Однополупериодный I0 макс+DIL/2
Мостовой и двухполупериодный   –       –       –       I0 макс+ DIL/2
    UVD2макс= = UVDB макс Однополупериодный Uвх. макс · ·W2/Wp
Мостовой U0 /gмин
Двухполупериодый 2U0 /gмин
    IПР. CР = = IПР.VDB Однополупериодный I0 макс/2 I0 макс/2
  Мостовой и двухполупериодный   –       –       –       I0 макс/2
    PVD2 = = PVDB   Однополупериодный Uпр×I0 макс×gмакс+ + fn×UVD2 макс×IVD2макс× ·0,01/fпред   –   –
  Мостовой и двухполупериодный       –   –     Uпр×Iпр.ср.+ +fn×UVD2макс· ·IVD2макс×0,01/ fпред
               

Расчёт сетевого выпрямителя

 

1. На основании своего варианта задания выбираем схему сетевого выпрямителя (см. рис. 8).

2. Находим среднее значение тока, потребляемого от сетевого выпрямителя

Iвх = n21×I0 макс×gмакс .

 

3. По формулам табл. 9 определяем требуемые параметры вентилей

Iв ср, Uобр и , fд.

 

Таблица 9

 

Основные формулы для расчета выпрямителей









Читайте также:

  1. R мысленное разложение предмета на составные части и выявление их специфического
  2. THE GERUND AND THE PARTICIPLE. СРАВНЕНИЕ ГЕРУНДИЯ И ПРИЧАСТИЯ
  3. VI. Предлоги, союзы, частицы, междометия
  4. А. Молекулу. Б. Атом. В. Атомное ядро. Г. Протон. Д. Любая из перечисленных в ответах А — Г частица может быть разделена на более мелкие части или превратиться в другие частицы.
  5. Алгоритм выбора схемы преобразователя
  6. Б1. Выбор суффиксов причастий
  7. Банкет за столом с частичным обслуживанием официантами
  8. Богослужения и его составные части
  9. В какой части Казахстана впервые обнаружены стоянки палеолитического периода?
  10. В металлах, где все валентные электроны являются электронами проводимости, запрещенная зона отсутствует, и валентная зона частично перекрывается с зоной проводимости.
  11. В первой части работы проведен обзор литературы по теме дипломной работы.
  12. В систему Общей части входят институты, соответствующие учебным разделам:О


Последнее изменение этой страницы: 2016-03-15; Просмотров: 71;


lektsia.info 2017 год. Все права принадлежат их авторам! Главная